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發布日期︰2020-11-30 16:55 來源︰http://www.ddxdf.com 點擊︰

起源︰單晶是由單個晶體構成的材料六战一,單晶在自然界存在落脚,如金剛石晶體等本钱,也可由人工制成伙归,如鍺和 單晶等爷爷你。單晶是由一個晶核長成的一层湛,其所有晶胞均呈相同的位向消耗他,因而具有各向異性拿游医。

制備︰單晶材料的制備是將物質的非晶態唐三递、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過一定的物理或化學手段轉變成單晶狀態的過程前释放。

生長塊狀單晶材料有熔體法你真敢、常溫溶液法够继承、高溫溶液法及其它相關方法地挥舞。

熔融法

從熔體中生長晶體是制備大單晶和特定形狀的單晶常用的和重要的一種方法一方突,電子學上角、光學等現代技術應用中所需要的單晶材料真小人,大部分是用熔體生長方法制備的晾晒,如單晶×成夏选,GaAs(氮化鎵)加上我,LiNbO3(鈮酸鋰)我爷爷,Nd︰YAG(摻釹的鐿鋁石榴石)我低,Al2O3(白寶石)等以及某些堿土金屬和堿土金屬的鹵族化合物等回力,許多晶體品種早已開始進行不同規模的工業生產真正拥。與其他方法相比被骂,熔體生長通常具有生長快物相貌、晶體的純度和完整性高等優點叫享受。

熔融法生長晶體的簡單原理是將生長晶體的原料熔化这诡异,在一定條件下使之凝固蛮,變成單晶愿意伤。這里包含原料熔化和熔體凝固兩大步驟请准时,熔體在受控制的條件下的實現定向凝固上台,生長過程是通過固-液界面的移動來完成的蝙蝠中。

要使熔體中晶體生長翻,使體系的溫度低于平衡溫度找出一。體系溫度低于平衡溫度的狀態成為過冷数落。的值為過冷度4000钻,表示體系過冷程度的大小路上极。過冷度是熔體法晶體生長的驅動力宿管。

晶體生長速度f與晶體溫度梯度和熔體溫度T梯度的關系︰

對于一定的結晶物質属于雪,過冷度一定時決定晶體生長速率的主要因素是晶體與熔體溫度梯度的相對大小朱丽叶。

單晶材料制備方法之熔融法

相關標簽︰單晶材料的制備方法,單晶材料的優點,單晶材料有哪些

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