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發布日期︰2020-11-30 16:53 來源︰http://www.ddxdf.com 點擊︰

從熔體中生長單晶材料晶體是制備大單晶和特定形狀的單晶最常用的和最重要的一種方法远攻,電子學乞丐、光學等現代技術應用中所需要的單晶材料够抗衡,大部分是用熔體生長方法制備的方阵出,如單晶∪酉隆,GaAs(氮化鎵)弯月可,LiNbO3(鈮酸鋰)回熟,Nd︰YAG(摻釹的鐿鋁石榴石)脚尖并,Al2O3(白寶石)等以及某些堿土金屬和堿土金屬的鹵族化合物等作废,許多晶體品種早已開始進行不同規模的工業生產这边可。與其他方法相比实照理,熔體生長通常具有生長快长谁、晶體的純度和完整性高等優點凉丝丝。

熔融法生長晶體的簡單原理是將生長晶體的原料熔化事情弄,在一定條件下使之凝固扎进,變成單晶尽管没。這里包含原料熔化和熔體凝固兩大步驟请登记,熔體必須在受控制的條件下的實現定向凝固一压力,生長過程是通過固-液界面的移動來完成的但挺直。

要使熔體中晶體生長反映,必須使體系的溫度低于平衡溫度力支持。體系溫度低于平衡溫度的狀態成為過冷她输。的絕對值為過冷度我开恩,表示體系過冷程度的大小保持他。過冷度是熔體法晶體生長的驅動力对入眼。

晶體生長速度f與晶體溫度梯度和熔體溫度T梯度的關系︰

對于一定的結晶物質对于迈,過冷度一定時決定晶體生長速率的主要因素是晶體與熔體溫度梯度的相對大小被拥挤。

單晶材料的制備方法有哪些

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