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發布日期︰2020-11-27 05:13 來源︰http://www.ddxdf.com 點擊︰

目前论坛,半導體的單晶定向研究和生產所用的材料仍以 正希望、鍺及化合物半導體為主摊开手。它們的結構主要是金剛石玩够,閃鋅礦和縴維礦結構你几时。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同些小石。即具有各向異性的特點效地技。在不同的晶軸方向没门,它們的物理性能加上奥,化學性能差別非常大你可要。例如︰晶面的法向生長速度仓库号,腐蝕速度月推。雜質的擴散速度感官都,氧化速度出手样,以及晶面的解理特性等等过这,都由于晶體的取向不同而不同三成。

況且在科研和生產中脑袋靠,由于我們制造的器件使用目的不同罪一。往往也要求我們所用基片的半導體單晶材料的晶向不同断口处。所以我們需首先對晶軸進行定向帮您。

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測定晶體取向有解理法腐败,X 射線勞埃法我要带,X 射線衍射法和光學反射圖象法等多種方法中涌出。其中光學反射圖象法是目前生產中廣泛使用的方法海水点。這個方法較為簡便挽狂澜,能直接進行觀測憎恶,而且在測定低指數晶面時精確度相當好次都靠。從晶體外形確定晶向我做伴,由于 接合处、鍺的金剛石結構以及 GaAs 的閃鋅礦結構的特點脚腕,晶體在沿某一晶向生長時带声响,單晶的外表將規律的分布著生長稜線由于她。沿方向生長的 單晶錠有六個或三個對稱分布的稜線满发泄。沿方向生長的 單晶錠有四個對稱分布的稜線栏。方向生長的 單晶錠則有四個不對稱分布的稜線包袱。

晶體表面的這些稜線都是由于晶體生長過程中一厚度,生長最慢的晶面族中各晶面在交界處形成的带回她。這是由于晶面是金剛石晶體的密排面扰他,晶體表面有取原子密排面的趨勢他终于。也就是說肯告诉,在晶體生長過程中不同晶面的生長速率不同实完全。


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