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發布日期︰2020-11-27 05:13 來源︰http://www.ddxdf.com 點擊︰

提高 晶體質量他睡觉,就意味著必須降低晶體中得缺陷搬起石,正如單晶材料設備廠家所說你交往,PVT法生長 單晶需要控制的工藝參數較多真招架,並且這些參數在生長過程中不斷發生變化文案,所以對晶體中的缺陷控制比較困難白。 單晶的缺陷主要包括微管分贝、多型次遇袭、位錯8074、層錯和小角晶界等真地遇。由于SiC晶體中一種缺陷的存在往往會誘發其它缺陷產生美眸中,因此七脉,對這些缺陷進行研究並且在晶體生長過程中對其進行有效的控制室显,對于提高SiC晶體質量是非常重要的发什。

確保單一晶型對于SiC襯底是非常重要的级很,晶型的轉變不但會嚴重破壞SiC晶體的結晶完整性嚎叫、改變材料的電學特性第二式,還為微管缺陷提供了成核點这茶,並延伸至晶錠的其余部分堪一击。不同SiC晶型之間的本質區別就在于<0001>晶向上Si-C雙原子層的堆垛順序發生了改變女孩更。當堆垛次序保持不變時我两次,SiC晶體的晶型就不會改變要适。當晶體生長是通過SiC生長表面上台階的繁殖進行時我没可,相對容易保持單一類型船长脑。然而况愈下,SiC生長過程中有一個台階聚集的傾向难免觉,這就會形成大的台面安顿下,台階邊緣數量的減少喉咙中,會使得到達的Si和C原子可能無法擴散到台階邊緣跋扈惯,而在台面中心形成新的晶核吸收八,這些新晶核可能具有與底層材料不同的雙層堆垛次序人想哭,從而導致晶型的改變几回闻。

在晶體生長過程中够解毒,各種晶型的SiC晶體不存在固定的形成溫度範圍大体检。溫度位壮硕、雜質大人正、壓力月夜捂、過飽和度太出什、籽晶取向和極性以及生長區Si/C原子比想出去,都會影響到SiC多型結構的形成抱疼你。由于多型共生會對晶體的結晶質量產生致命的影響最致命,從某種意義上說直抽抽,如何抑制和消除多型共生缺陷管理由,是PVT法SiC晶體生長研究的一個重要任務更古怪。

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